台积电二季度业绩大超预期，加码千亿美元扩建亚利桑那晶圆厂

二季度财务表现

这家晶圆代工厂二季度净利润同比大涨 77%，达 7065.6 亿新台币，折合约 2189 亿美元；市场此前预期仅 6326.4 亿新台币。盈利大幅增长的核心驱动力是营收同比提升 36%，公司二季度美元口径营收 3945 亿美元，略高于市场一致预期。

公司约三分之二营收来自高性能运算（HPC） 业务板块，数据中心芯片归属于该板块，同时这也是台积电增长最快的核心业务，单季营收环比上涨 20%；智能手机芯片为第二大收入来源，营收环比下滑 4%。

7 纳米及以下先进制程晶圆贡献了公司 77% 的晶圆营收。其中 5 纳米工艺出货占比最高，达总销售额 33%；台积电去年量产的最新 2 纳米 N2 工艺当前营收占比仅 2%，但未来数年该比重将大幅攀升。

亚利桑那新建厂区技术规划

本次千亿美元新增投资规划的四座新厂房中，两座将投产2 纳米及以下先进制程，与去年动工的第三座 N2 2 纳米工厂同步运营。

N2 是台积电首款采用环绕栅极（GAA）晶体管架构的工艺。相比前代架构，该设计可提升芯片能效，同时为芯片设计工程师提供更多定制化空间。此外，N2 工艺引入金属绝缘金属（MIM）微型储能电容，优化芯片内部电流传输效率。

台积电规划多款 2 纳米衍生工艺：面向数据中心的N2X版本功耗更高、算力更强；今年 4 月推出的N2A工艺专门适配车载芯片场景。

另外两座亚利桑那新建厂房将用于生产先进封装模组，该产品可把多颗硅裸片整合为单颗处理器。台积电并未披露这两座工厂将落地哪几款先进封装产品线。

核心先进封装技术布局

台积电两大旗舰封装技术分别为 SoIC 与 CoWoS：

1. SoIC（集成芯片堆叠技术）：通过垂直堆叠实现多颗小芯片互连；

2. CoWoS（基板晶圆上芯片封装）：将多颗硅裸片并排放置在共享基板上完成互联。

今年早些时候，台积电预告新一代 CoWoS 升级方案，新版本可同时集成 10 颗大型运算裸片与 20 层高带宽内存（HBM）堆叠。

下一代制程研发路线

台积电同步推进多款 2 纳米之后的新一代工艺：明年将推出1.6 纳米工艺，采用背面供电架构，把供电线路布置在晶体管底层，进一步提升芯片能效；紧随其后还将落地 A14、A12 两款制程。

资本开支与全年业绩指引

为支撑完整技术研发与扩产路线，台积电上调全年资本开支规划。公司今日披露，2026 年资本支出区间上调至 6000–6400 亿美元，此前预期仅 5200–5600 亿美元。同时，台积电上调全年营收增速指引，全年营收同比增幅将略高于 40%。